Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4101DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4101DY
SI4101DY-T1-GE3 Hakkında
SI4101DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj desteği ile 25.7A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V Vgs koşullarında 6mΩ üzerinden düşük on-resistance değeri gösterir. Gate charge değeri 203nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 6W maksimum güç dağıtımı kapasitesi vardır. Güç yönetimi, motor kontrol, yük anahtarlaması ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 203 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8190 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok