Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4100DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4100DY
SI4100DY-T1-GE3 Hakkında
SI4100DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ile çalışabilen bu bileşen, 6.8A sürekli dren akımına sahiptir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında güvenli şekilde çalışır. RDS(on) değeri 10V gate geriliminde 63mOhm olup, düşük on-state direnci sağlar. Gate charge 20nC ve input capacitance 600pF (@50V) özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok