Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4100DY-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4100DY
SI4100DY-T1-E3 Hakkında
SI4100DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi ve 6.8A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile kompakt devre tasarımlarına uyum sağlar. RDS(on) değeri 10V gate geriliminde 63mOhm olup, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, 2.5W (Ta) ve 6W (Tc) güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok