Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4090DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4090DY
SI4090DY-T1-GE3 Hakkında
SI4090DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 19.7A sürekli drain akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10mΩ on-resistance değeri ile verimli sürücü işlevi sağlayan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve elektrik motor sürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan SI4090DY, geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C arası) çalışabilir ve düşük gate charge karakteristiği sayesinde hızlı anahtarlama işlemlerine elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2410 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok