Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4090BDY-T1-GE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4090BDY
SI4090BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4090BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source voltaj desteği ve 12.2A sürekli dren akımı özellikleriyle güç uygulamalarında kullanılır. SO-8 (8-SOIC) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10mOhm on-resistance ile düşük kayıp uygulamalara uygundur. Anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.2A (Ta), 18.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3570 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 7.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 12.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok