Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4062DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4062DY
SI4062DY-T1-GE3 Hakkında
SI4062DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 32.1A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarına uygun olarak tasarlanmıştır. 4.2mΩ maksimum kapalı durumda yüksek direnç (Rds On) değeri ile güç kaybını minimize eder. 8-SOIC (8SO) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum Vgs ile geniş kontrol gerilimi aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3175 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 7.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok