Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4058DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4058DY
SI4058DY-T1-GE3 Hakkında
SI4058DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim dayanımı ve 10.3A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 26mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük yitim sağlar. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışır. Endüstriyel kontrolü, güç yönetimi, motor sürücü devreleri ve DC-DC konverter uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 690 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok