Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4056DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4056DY
SI4056DY-T1-GE3 Hakkında
SI4056DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 11.1A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, RDS(on) değeri 23mOhm ile düşük iletim direncine ve 29.5nC gate charge ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına uygun olan bu MOSFET, güç dönüştürme devrelerinde, sürücü devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş bir kontrol voltajı aralığını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok