Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4056ADY-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4056ADY

SI4056ADY-T1-GE3 Hakkında

SI4056ADY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 100V N-Channel MOSFET transistördür. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 5.9A sürekli besleme akımına (Ta) ve 8.3A akımına (Tc) sahiptir. Düşük gate charge (29 nC @ 10V) ve minimal on-state direnci (29.2 mOhm @ 5.9A, 10V) ile verimliliğe katkı sağlar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motorlu uygulamalar ve düşük voltajlı güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. 2.5W (Ta) / 5W (Tc) maksimum güç tüketimi özelliklerine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1330 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29.2mOhm @ 5.9A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok