Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4010DY-T1-GE3
MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4010DY
SI4010DY-T1-GE3 Hakkında
SI4010DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajı ve 31.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3.4mOhm (10V, 15A'da) düşük on-direnci sayesinde enerji kaybını minimize eder. Surface Mount 8-SOIC paketi ile endüstriyel, tüketici ve otomotiv elektronik devrelerinde anahtarlama elemanı olarak görev yapar. Geniş -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3595 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok