Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3879DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3879DV
SI3879DV-T1-GE3 Hakkında
SI3879DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim ve 5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 4.5V gate geriliminde 70mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-23-6 (6-TSOP) SMD paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C), düşük gate charge (14.5nC) ve kontrol edilebilir giriş kapasitansi (480pF) özellikleriyle hızlı komütasyon gerektiren endüstriyel ve tüketim elektroniği uygulamalarına uygundur. Bileşen, kullanımdan kaldırılmış (obsolete) durumda olup, alternatif çözümler dikkate alınmalıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 480 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok