Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3879DV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3879DV
SI3879DV-T1-E3 Hakkında
SI3879DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montaj paketinde sunulur. 70mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, batarya koruma sistemleri ve akım kontrolü gibi uygulamalarda kullanılır. 4.5V gate drive voltajında optimal performans gösterir. Kompakt paketi sayesinde alan kısıtlı tasarımlara uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 480 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok