Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3867DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.9A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3867DV
SI3867DV-T1-GE3 Hakkında
SI3867DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Vdss ile 3.9A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, 51mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük direnç uygulamaları için tasarlanmıştır. SOT-23-6 paket tipinde surface mount olarak kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve ticari uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 11nC gate charge ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Düşük güç tüketimi (1.1W max) ve kompakt boyutu ile DC-DC dönüştürücüler, yük anahtarlama, aydınlatma kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok