Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3853DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 1.6A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3853DV
SI3853DV-T1-GE3 Hakkında
SI3853DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim, 1.6A sürekli drenaj akımı ve 200mΩ On-resistance değerleri ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Schottky diyot entegrasyonu sayesinde anahtarlama hızını artırır. SOT-23-6 yüzey montajlı paketleme ile kompakt tasarımlar için uygundur. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, lojik seviye kontrol ve batarya koruması uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 830mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 500mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok