Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3812DV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3812DV
SI3812DV-T1-E3 Hakkında
SI3812DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 2A sürekli Drain akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 125mΩ RDS(on) değeri ile düşük güç kayıpları sağlar. Schottky diyot entegrasyonu sayesinde hızlı anahtarlama performansı sunar. Genişletilmiş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC konvertörlerde ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. Kompakt SOT-23-6 paket yapısı yüzey montajlı PCB tasarımlarında yer tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 830mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok