Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3805DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3805DV
SI3805DV-T1-GE3 Hakkında
SI3805DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilim ve 3.3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 84mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sunmaktadır. Entegre Schottky diyotlu yapısı sayesinde anahtarlama uygulamalarında geri dönüş kaybını azaltır. SOT-23-6 yüzey montajlı paketlemesiyle kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, yük anahtarlaması ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılmaktadır. 10V gate geriliminde 12nC gate charge ve 330pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır. Parça durumu itibariyle eski/kullanım dışı (obsolete) olup, yeni tasarımlar için yerini daha modern alternatifler tarafından almıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta), 1.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 84mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok