Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI3805DV-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3805DV

SI3805DV-T1-E3 Hakkında

SI3805DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltaj ve 3.3A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 84mΩ (10V, 3A) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Entegre Schottky diyot özelliği ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Surface Mount SOT-23-6 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü ve anahtar uygulamalarında kullanılır. 1.1W (Ta) maksimum güç tüketimi ile verimli devre tasarımına katkı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.1W (Ta), 1.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 84mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package 6-TSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok