Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3499DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3499DV
SI3499DV-T1-GE3 Hakkında
SI3499DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 8V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 5.3A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile düşük gerilim uygulamalarında kullanılır. 4.5V kapı geriliminde 23mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montajlı paketinde sunulan bileşen, batarya yönetimi, güç dağıtımı, LED sürücüler ve portatif elektronik cihazlardaki anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işletim sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok