Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3499DV-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3499
SI3499DV-T1-E3 Hakkında
SI3499DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 8V drain-source gerilimi ve 5.3A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 23mΩ RDS(on) direnci (4.5V, 7A koşullarında) düşük güç kaybı sağlar. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montaj paketi ile kompakt uygulamalar için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışmakta ve 1.1W maksimum güç dağılımı özelliğine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, batarya yönetim sistemleri ve röle kontrolü gibi alanlarda kullanılır. ±5V maksimum gate-source gerilimi ve 42nC gate yükü (4.5V'da) ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok