Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3493BDV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3493
SI3493BDV-T1-E3 Hakkında
SI3493BDV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajında 8A sürekli drain akımı sağlayabilen bu bileşen, düşük on-direnç (Rds On) karakteristiği ile güç uygulamalarında verimli çalışır. 6-TSOP (SOT-23-6) yüzey montajlı paketinde sunulan bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, batarya koruma sistemleri ve motor sürücü uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 2.97W'a kadar güç tüketebilir. ±8V gate voltajı ile kontrol edilebilir ve 43.5nC gate charge değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1805 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.08W (Ta), 2.97W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27.5mOhm @ 7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok