Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI3483DV-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 4.7A 6TSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3483DV

SI3483DV-T1-E3 Hakkında

SI3483DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 4.7A sürekli drenaj akımı (Id) ile çalışır. 6TSOP (SOT-23-6) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, anahtar kontrol uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 35mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük enerji kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 4.5V ve 10V sürücü gerilimi konfigürasyonlarında optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6.2A, 10V
Supplier Device Package 6-TSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok