Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3481DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3481DV
SI3481DV-T1-GE3 Hakkında
SI3481DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 4A sürekli dren akımına sahip bu komponent, 48mOhm maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. 6-TSOP (SOT-23-6) yüzey montajı paketi içinde gelen transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 25 nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Endüstriyel uygulamalar, güç yönetimi devreleri, kontrol sistemleri ve anahtar modülü tasarımlarında kullanılır. Maksimum 1.14W güç tüketim kapasitesine sahiptir. Komponent şu anda üretim dışı (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.14W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 5.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok