Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3481DV-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 4A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3481DV
SI3481DV-T1-E3 Hakkında
SI3481DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 4A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-6 yüzey montajlı paketinde sunulur. 10V gate geriliminde 48mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devrelerindeload kontrolü ve CMOS seviyesi gate sürüş gereksinimleri olan devrelerde tercih edilir. 25nC gate yükü ile hızlı anahtarlama yapabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.14W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 5.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok