Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3477DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3477DV
SI3477DV-T1-GE3 Hakkında
SI3477DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilim (Vdss) ve 8A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 4.5V gate geriliminde 17.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. SOT-23-6 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, load switching ve hızlı kesme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 2W (Ta) maksimum güç dağılımı kapasitesi kontrollü ısıl ortamlarda operasyon imkânı tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 4.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.5mOhm @ 9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok