Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3476DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3476DV
SI3476DV-T1-GE3 Hakkında
SI3476DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj ve 4.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 93mΩ on-direnç değerine ulaşır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C arası) sayesinde oto motiv, endüstriyel kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında kullanıma uygundur. Düşük gate charge (7.5nC @ 10V) özelliği hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır. ±20V maksimum gate-source voltajı ile güvenli bir çalışma ortamı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 195 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 3.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 93mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok