Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3475DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3475DV
SI3475DV-T1-GE3 Hakkında
SI3475DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj desteği ve 950mA sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-6 yüzey montajı paketinde sunulan bu komponentin 1.61Ohm gate-source direnci, anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 18nC ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, motor sürücüler ve koruma devrelerinde uygulanabilir. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 950mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.61Ohm @ 900mA, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok