Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3475DV-T1-E3
MOSFET P-CH 200V 950MA 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3475DV
SI3475DV-T1-E3 Hakkında
SI3475DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source voltaj ve 950mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük Rds(on) değeri (10V'de 1.61Ω) ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç yönetimi, invertör devreleri, boost konvertörleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 2W (Ta) güç tüketimi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 950mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 3.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.61Ohm @ 900mA, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok