Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3474DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3474DV
SI3474DV-T1-GE3 Hakkında
SI3474DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 3.8A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6-pin SOT-23 (TSOT-23-6) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, düşük 126mΩ on-resistance değeri ve hızlı anahtarlama özellikleriyle verimli güç aktarımı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 3.6W maksimum güç dağıtımına sahiptir. Endüstriyel kontrol, güç kaynakları ve hassas anahtarlama devreleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 196 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 126mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok