Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3473DV-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 5.9A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3473DV
SI3473DV-T1-E3 Hakkında
SI3473DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltajında 5.9A sürekli drain akımı ile çalışabilen bu komponent, 6TSOP (SOT-23-6) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 4.5V gate voltajında 23mΩ maksimum Rds(On) değerine sahip olan cihaz, düşük akım uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar. Gate şarjı 33nC olup, -55°C ile +150°C arasında çalışabilmektedir. 1.1W maksimum güç tüketim kapasitesi ile batarya uygulamaları, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve kontrol sistemlerinde kullanılır. Komponent Obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok