Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3473DDV-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3473
SI3473DDV-T1-GE3 Hakkında
SI3473DDV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source gerilimi, 8A sürekli dren akımı ve 17.8mOhm maksimum Rds(On) değeri ile güç yönetimi ve anahtar uygulamalarında kullanılır. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 4.5V gate gerilimi ile sürülen bu bileşen, düşük güç kaybı gerektiren mobil cihazlar, güç kaynakları, pil yönetim sistemleri ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1975 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok