Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI3469DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3469DV

SI3469DV-T1-GE3 Hakkında

Vishay SI3469DV-T1-GE3, P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi (Vdss) ve 5A sürekli drenaj akımı (Id) ile çalışır. 10V gate geriliminde 30mOhm (Rds On) maksimum açık dirençine sahiptir. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 1.14W maksimum güç dağılımı kapasitesine ve 30nC gate charge'a (Qg) sahiptir. Anahtar kontrol, motor sürücüsü, güç yönetimi ve düşük voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.7A, 10V
Supplier Device Package 6-TSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok