Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3460DV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3460DV
SI3460DV-T1-E3 Hakkında
SI3460DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi, 5.1A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 27mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-23-6 (TSOT-23-6) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 4.5V ve 1.8V sürüş gerilimleri ile çeşitli kontrol devrelerine uyumludur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Maksimum 1.1W güç harcaması ile enerji verimli tasarımlar için uygundur. Not: Bu ürün discontinue durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 1mA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok