Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3460DDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3460DDV
SI3460DDV-T1-GE3 Hakkında
SI3460DDV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 7.9A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 28mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C) çalışabilir. Led sürücüleri, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve düşük voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 666 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok