Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3460BDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3460
SI3460BDV-T1-GE3 Hakkında
SI3460BDV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilim desteği ile 8A sürekli dren akımı sağlayabilir. 27mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunarak verimli güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-6 paketinde yüzey montajı için tasarlanmış bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve yük anahtarlaması gibi elektronik devrelerde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 2W (Ta) / 3.5W (Tc) güç disipasyonu kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 860 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 3.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok