Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3459DV-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 2.2A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3459DV
SI3459DV-T1-E3 Hakkında
SI3459DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 2.2A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 10V gate geriliminde 220mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 14nC gate charge ve ±20V maksimum gate gerilimi ile düşük güç uygulamalarında, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve load switching uygulamalarında kullanılır. 2W maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlara uygun bir seçenektir. Lütfen dikkat: Bu ürün Obsolete (üretimi durdurulmuş) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok