Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3459BDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3459BDV
SI3459BDV-T1-GE3 Hakkında
SI3459BDV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 2.9A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. SOT-23-6 (6-TSOP) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 216mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C arasında), düşük gate charge (12nC) ve kontrollü input kapasitansı (350pF) ile anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç yönetimi, motor kontrolü, anahtamalı güç kaynakları ve gerilim regülatörü devrelerinde kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 216mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok