Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3459BDV-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3459BDV
SI3459BDV-T1-E3 Hakkında
SI3459BDV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim kapasitesi ve 2.9A sürekli drenaj akımı ile çalışır. SOT-23-6 Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları tasarımlarında kullanılır. 216mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans gösterir. 12nC gate charge ve 350pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri mümkündür. Gümrük, endüstriyel kontrol sistemleri ve portable cihazlarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 216mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok