Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3458DV-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 3.2A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3458DV
SI3458DV-T1-E3 Hakkında
SI3458DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 3.2A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini gerçekleştirmek üzere tasarlanmıştır. 100mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli şekilde çalışan SI3458DV, 10V gate geriliminde optimal performans gösterir. SOT-23-6 paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve portable elektronik cihazlarda yaygın olarak kullanılmaktadır. Geniş -55°C ~ 150°C sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarına uygunluk sağlar. Düşük kapı yükü (16nC) hızlı anahtarlama sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok