Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3458BDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3458BDV
SI3458BDV-T1-GE3 Hakkında
SI3458BDV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve 4.1A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 100mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. Hızlı anahtarlama, düşük kapasitans ve 11nC gate charge özellikleri sayesinde motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama güç kaynakları ve genel amaçlı dijital lojik uygulamalarında kullanılır. 4.5V ve 10V drive voltajlarında optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok