Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3458BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3458
SI3458BDV-T1-E3 Hakkında
SI3458BDV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 4.1A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 100mOhm on-resistance (Rds On) değeri ile güç kaybını minimize eder. Surface mount SOT-23-6 (6-TSOP) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, düşük gate charge (11nC) sayesinde hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde verimli performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok