Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3457CDV-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3457CDV
SI3457CDV-T1-E3 Hakkında
SI3457CDV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 5.1A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 10V gate geriliminde 74mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük on-direnci sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, batarya yönetim sistemleri ve düşük güç tüketimli DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 15nC gate charge değeri hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74mOhm @ 4.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok