Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3457BDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3457
SI3457BDV-T1-GE3 Hakkında
SI3457BDV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 3.7A sürekli drain akımı ile tasarlanmış olup, SOT-23-6 yüzey montajlı paket içinde sunulmaktadır. 54mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, batarya koruma sistemleri ve genel amaçlı DC kontrol uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş voltajında 19nC gate yükü ile hızlı komütasyon özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.14W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok