Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI3456DV

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3456

SI3456DV Hakkında

SI3456DV, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 5.1A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, düşük açık direnç (45mOhm @ 10V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli performans sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen SI3456DV, tüketici elektroniği, endüstriyel kontrolörler, güç yönetimi ve sürücü devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. SOT-23-6 yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, 800mW maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 463 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5.1A, 10V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok