Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3456DDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3456DDV
SI3456DDV-T1-GE3 Hakkında
SI3456DDV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 6.3A sürekli drain akımı ile çalışır. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montaj paketinde sunulur. 40mOhm maksimum açık devre direnci ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Düşük kapı yükü (9nC) ve gümrük voltajı özelliği ile hızlı komütasyon gerektiren devrelerde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. DC-DC dönüştürücüler, güç anahtarlaması, motor kontrolü ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok