Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI3456CDV-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3456CDV

SI3456CDV-T1-E3 Hakkında

SI3456CDV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 7.7A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 34mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. SOT-23-6 (TSOP-6) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında, boost konvertörleri, DC-DC dönüştürücüleri, yük kontrolü ve motor sürücülerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 12nC gate charge ve 460pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon performansı sunar. Not: Bu ürün Obsolete (üretim dışı) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 6.1A, 10V
Supplier Device Package 6-TSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok