Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3456BDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3456
SI3456BDV-T1-GE3 Hakkında
SI3456BDV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 4.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, surface mount teknolojisi ile 6-TSOP (SOT-23-6) paketinde sunulmaktadır. 35mΩ maksimum on-state direnci (Rds On @ 10V) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Maksimum 1.1W güç tüketimi özelliğinden dolayı, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 13nC gate charge değeri hızlı komütasyon sağlayan ve düşük sürücü gücü gerektiren uygulamalar için uygundur. Parça durumu itibariyle üretim durdurulmuş (obsolete) olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok