Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3456BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3456BDV
SI3456BDV-T1-E3 Hakkında
SI3456BDV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 4.5A maksimum drain akımı ile röle kontrol, motor sürücü, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 35mΩ on-state direnci (10V gate voltajında) ve düşük gate charge (13nC @ 10V) karakteristiği ile verimli güç yönetimi sağlar. SOT-23-6 (TSOT-23-6) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. Düşük güç dissipasyonu ve kompakt tasarımı sayesinde batarya destekli ve küçük formatlı elektronik cihazlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok