Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI3455DV

P-CHANNEL MOSFET

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3455

SI3455DV Hakkında

SI3455DV, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 3.6A sürekli drain akımı kapasitesiyle gerilim değiştirici, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-23-6 paketinde sunulan bu komponent, 75mΩ on-resistance (10V, 3.6A koşullarında) ile verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahip olup, 800mW maksimum güç tüketimi belirtisiyle endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir. ±20V gate-source voltajı ve 5nC gate charge karakteristikleri, hızlı anahtarlama işlemleri için uygunluğunu gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 298 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 3.6A, 10V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok