Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI3454CDV-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3454CDV

SI3454CDV-T1-GE3 Hakkında

SI3454CDV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 4.2A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 50mOhm (10V, 3.8A'de) düşük on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23-6 yüzey montaj paketi, kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, load switching ve genel amaçlı dijital kontrol uygulamalarında tercih edilir. Vgs(th) 3V'de 250µA'de tetiklenir ve ±20V gate gerilim toleransına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 305 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta), 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.8A, 10V
Supplier Device Package 6-TSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok