Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI3454ADV-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 3.4A 6TSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3454ADV

SI3454ADV-T1-GE3 Hakkında

SI3454ADV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 3.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 10V gate geriliminde 60mOhm maksimum RDS(on) değerine sahip olup, düşük on-direnç özellikleriyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-23-6 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama hızı ve enerji verimliliğinin önemli olduğu DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve genel amaçlı dijital anahtarlama devrelerinde uygulanır. 15nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon sağlar. Düşük güç yayılımı tasarımları için uygun bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package 6-TSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok